微电子封装是芯片成为功能产品的最后一步。它不仅为芯片提供电气连接、散热通道，还承担物理支撑与保护作用。封装质量直接影响器件性能，其中，互连技术尤为关键。研究表明，25%~30%的半导体失效源于芯片互连问题。

1.原理

2.关键影响因素

• Au-Ag、Au-Cu等可形成固溶体的金属组合，扩散性好，焊接性能优良；
• Au-Si、Al-Si等可形成低熔点共晶，也具备良好的可焊性；
• 而如Au-Al、Cu-Al等通过扩散形成金属间化合物的组合，虽可焊接但需严格控制工艺。
  
  

• 键合时间：时间延长有助于提高变形率和连接强度；
• 键合力：需精确控制，过大可能损伤芯片，过小则连接不牢；
• 变形率：在一定范围内，拉断载荷与球的变形率成正比；
• 洁净度：任何污染都会显著降低焊接强度。
  
  

劣势：需高温（通常150°C以上），对洁净度极敏感，小焊盘适应性差，成品率偏低。

劣势：对表面粗糙度敏感；铝屑易粘焊头，难清理；材料厚度受限，可焊金属范围窄；设备功率需求高。

• 穿线：引线穿过劈刀，伸出长度决定后续球尺寸；

• 形成球：通过EFO（电子火焰熄灭）放电将引线端部熔成球状；

• 对位：球移动到焊盘上方；
• 第一焊点：劈刀将球压到焊盘上，施加压力、温度和超声波形成连接；
• 拱丝成型：劈刀上升并移动到第二焊点位置，形成特定拱形；
• 第二焊点：在基板或引线框上形成楔形焊接；
• 断线：夹子闭合，劈刀上升扯断引线，准备下一次键合。

劣势：对污染物敏感，易出现缩坑；参数多（温度、压力、超声、时间），调试复杂； 焊盘尺寸略大于超声键合，成品率略低。

尽管引线键合技术已成熟应用数十年，它仍在不断发展和优化。随着芯片尺寸缩小和集成度提高，对键合精度、速度和可靠性的要求越来越高。