氩离子抛光仪/CP离子研磨截面抛光案例

于 2025-06-26 10:42:28 发布 31 阅读 0 评论

样品切割和抛光

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配温控液氮冷却台,去除热效应对样品的损伤,配碳/铬镀膜,对于同一个样品,可在同一真空环境下完成抛光及镀膜,防止样品氧化,可以用于SEM/FIB导电镀膜样品制作。

氩离子切割制样原理

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氩离子切割制样是利用氩离子束(〜1mm)来切割样品,以获得相比FIB制样(通常十几微米)面积更大的电子显微分析区域。其制样原理是用一个坚固的挡板遮挡住样品的非目标区域,有效的遮蔽了下半部分的离子束,创造出一个侧切割平面,去除样品表面的一层薄膜。


氩离子抛光技术又称CP截面抛光技术,是对样品表面进行抛光,去除损伤层,从而得到高质量样品,用于在SEM,光镜或者扫描探针显微镜上进行成像、EDS、EBSD、CL、EBIC 或其它分析。


针对不同的样品的硬度,设置不同的电压、电流、离子枪的角度、离子束窗口,控制氩离子作用的深度、强度、角度、这样较精准的参数,有利于制备成研究者理想的材料样品,这样的样品不仅表面光滑无损伤,而且还原材料内部的真实结构。


氩离子抛光与切割/CP截面抛光的优点

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相比较下氩离子抛光/CP截面抛光的优点


1.对由硬材料和软材料组成的复合材料样品, 能够很精细地制作软硬接合部的截面, 而使用传统方法制样是很困难的。


2.比FIB方法的抛光面积更大(~1mm以上)。

寄样要求

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1. 送样前需要对样品进行预处理:样品预磨抛,样品要磨平,样品的上下表面要平行,样品抛光面至少用4000目砂纸磨平,在显微镜下看起来光滑,不粗糙。
2. 样品的尺寸要求:
  • 块状样品:以待抛光区域为中心点,样品直径不超过30mm、厚度0~20mm。(超出部分需要磨走)
  • 粉末样品:10g以上。


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