样品切割和抛光 氩离子切割制样原理
氩离子切割制样是利用氩离子束(〜1mm)来切割样品,以获得相比FIB制样(通常十几微米)面积更大的电子显微分析区域。其制样原理是用一个坚固的挡板遮挡住样品的非目标区域,有效的遮蔽了下半部分的离子束,创造出一个侧切割平面,去除样品表面的一层薄膜。
氩离子抛光技术又称CP截面抛光技术,是对样品表面进行抛光,去除损伤层,从而得到高质量样品,用于在SEM,光镜或者扫描探针显微镜上进行成像、EDS、EBSD、CL、EBIC 或其它分析。
针对不同的样品的硬度,设置不同的电压、电流、离子枪的角度、离子束窗口,控制氩离子作用的深度、强度、角度、这样较精准的参数,有利于制备成研究者理想的材料样品,这样的样品不仅表面光滑无损伤,而且还原材料内部的真实结构。
氩离子抛光与切割/CP截面抛光的优点

相比较下氩离子抛光/CP截面抛光的优点
1.对由硬材料和软材料组成的复合材料样品, 能够很精细地制作软硬接合部的截面, 而使用传统方法制样是很困难的。
寄样要求
块状样品:以待抛光区域为中心点,样品直径不超过30mm、厚度0~20mm。(超出部分需要磨走)
粉末样品:10g以上。
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